| LP—MOCVD生长InGaN及InGaN／GaN量子阱的研究 |
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| 引用本文： | 刘宝林,陈松岩,等.LP—MOCVD生长InGaN及InGaN／GaN量子阱的研究[J].光电子．激光,2002,13(10):997-1000. |
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| 作者姓名： | 刘宝林 陈松岩 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系,福建,厦门,361005 |
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| 基金项目： | 福建省自然科学基金资助项目 (E982 0 0 0 1)，国家教育部高等学校骨干教师资助计划项目资助 |
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| 摘 要： | 利用MOCVD系统在Al2O3衬底上生长InGaN材料和InGaN/GaN量子阱结构材料，研究发现InGaN材料中In组份几乎不受TMG与TMI的流量比的影响，而只与生长温度有关，生长温度由800℃降低到740℃，In组份的从0.22增加到0.45；室温InGaN光致发光光谱（PL）峰全半高宽（FWHM）为15.5nm;InGaN/GaN量子阱区InGaN的厚度2nm，但光荧光的强度与100nm厚InGaN的体材料相当。
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| 关 键 词： | LP－MOCVD InGaN InGaN／GaN 量子阱 Ⅲ－V基化合物 铟镓氮三元化合物 |
| 文章编号： | 1005-0086(2002)10-0997-04 |
The Characterization of InGaN and InGaN/GaN Quantum Wells Grown by LP-MOCVD |
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| LIU Bao lin,CHEN Song yan,WU Zheng yun,CHEN Chao,CHEN Li rong,HUANG Mei chun.The Characterization of InGaN and InGaN/GaN Quantum Wells Grown by LP-MOCVD[J].Journal of Optoelectronics·laser,2002,13(10):997-1000. |
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| Authors: | LIU Bao lin CHEN Song yan WU Zheng yun CHEN Chao CHEN Li rong HUANG Mei chun |
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| Keywords: | GaN InGaN Metal Organic Chemical Vapor Deposition(MOCVD) Quantum well |
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