| Si基大面积碲镉汞分子束外延研究 |
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| 引用本文： | 陈路,傅祥良,巫艳,吴俊,王伟强,魏青竹,王元樟,何力. Si基大面积碲镉汞分子束外延研究[J]. 激光与红外, 2006, 36(11): 1051-1053,1056 |
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| 作者姓名： | 陈路 傅祥良 巫艳 吴俊 王伟强 魏青竹 王元樟 何力 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心,上海,200083 |
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| 基金项目： | 致谢：本项工作得到上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心于梅芳、齐怡敏、方维政、杨建荣等同志的技术支持,作者表示衷心感谢. |
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| 摘 要： | 文章报道了Si基碲镉汞分子束外延(MBE)的最新研究进展。尝试用晶向偏角降低高界面应变能的方法,摸索大失配体系中位错的抑制途径,寻找位错密度与双晶半峰宽的对应关系,基本建立了外延材料晶体质量无损检测评价标准,并对外延工艺进行指导。通过上述研究,15~20μm Si基CdTe复合材料双晶半峰宽最好结果为54arcsec,对应位错密度(EPD)小于2×106/cm2,与相同厚度的GaAs/CdTe(211)双晶水平相当,达到或优于国际最好结果。获得的3 in 10μm Si基HgCdTe材料双晶半峰宽最好结果为51arcsec,目前Si基HgCdTe材料已经初步应用于焦平面中波320×240器件制备。
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| 关 键 词： | Si基 碲镉汞 分子束外延 红外焦平面阵列 |
| 文章编号： | 1001-5078（2006）11-1051-03 |
| 收稿时间： | 2006-08-18 |
| 修稿时间： | 2006-08-18 |
The Study of HgCdTe on Si by MBE |
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| CHEN Lu,FU Xiang-liang,WU Yan,WU Jun,WANG Wei-qiang,WEI Qing-zhu,WANG Yuan-zhang,HE Li. The Study of HgCdTe on Si by MBE[J]. Laser & Infrared, 2006, 36(11): 1051-1053,1056 |
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| Authors: | CHEN Lu FU Xiang-liang WU Yan WU Jun WANG Wei-qiang WEI Qing-zhu WANG Yuan-zhang HE Li |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si substrates HgCdTe MBE IRFPA |
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