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MEMS硅膜电容式气象压力传感器的研制
引用本文:庞程,赵湛,杜利东. MEMS硅膜电容式气象压力传感器的研制[J]. 微纳电子技术, 2007, 44(7): 249-251,278
作者姓名:庞程  赵湛  杜利东
作者单位:1. 中国科学院,电子学研究所,传感技术国家重点实验室,北京,100080;中国科学院,研究生院,北京,100039
2. 中国科学院,电子学研究所,传感技术国家重点实验室,北京,100080
摘    要:基于MEMS的电容式压力传感器以其低成本高性能在气象测量中有着广阔的应用前景。利用ANSYS软件模拟接触式电容压力传感器的工作状态,得到硅膜的形变和应力分布状况。制作流程采用简单标准的工艺:利用KOH各向异性腐蚀进行硅片大面积、大深度腐蚀减薄,分析了其浓度配比对硅面平整度特性的影响,采用阳极键合形成真空腔,试验反应离子深刻蚀形成硅膜的效果。芯片测试结果表明方案可行。

关 键 词:电容压力传感器  各向异性腐蚀  阳极键合  反应离子深刻蚀
文章编号:1671-4776(2007)07/08-0249-03
修稿时间:2007-04-20

Development of Capacitive Pressure Sensor Based on MEMS
PANG Cheng,ZHAO Zhan,DU Li-dong. Development of Capacitive Pressure Sensor Based on MEMS[J]. Micronanoelectronic Technology, 2007, 44(7): 249-251,278
Authors:PANG Cheng  ZHAO Zhan  DU Li-dong
Affiliation:1. State Key Laboratory of Transducer Technology, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, China 2. Graduate School Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039, China
Abstract:
Keywords:capacitive pressure sensor   anisotropic etching   anodic bonding   DRIE
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