3DK20900高反压大功率硅NPN晶体管的研制

本文较详细地介绍了3KD20900高反压大功率硅NPN晶体管的研制过程和生产工艺。该器件最大集电极电流I_(cm)=20A,最大耗散功率P_(cm)=250W,C-E结反向击穿电压V_[(BR)(ceo)]≥900V,C-B结反向击穿电压V_[(BR)(cbo)]≥1200V,属国内首创,技术性能指标基本达到国际同类军用产品水平。