| 磁控溅射法制备ITO薄膜的结构及光电性能 |
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| 引用本文： | 桂太龙,汪钢,张秀芳,梁栋.磁控溅射法制备ITO薄膜的结构及光电性能[J].电子器件,2009,32(2). |
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| 作者姓名： | 桂太龙 汪钢 张秀芳 梁栋 |
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| 作者单位： | 哈尔滨理工大学应用科学学院,哈尔滨,150080 |
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| 基金项目： | 黑龙江省自然科技基金，黑龙江省教育厅科学技术研究项目 |
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| 摘 要： | 本文采用直流磁控溅射法在基板温度1OO℃、100%Ar气氛中制备了光电性能优良的铟锡氧化物(In2O3:SnO2=90:10,质量百分比)薄膜.利用XRD、AFM、SEM、多功能光栅光谱仪和四探针电阻测试仪对薄膜的结构、表面形貌、透光率和方阻进行了测定和分析,研究了溅射功率对薄膜透光率的影响.结果表明:ITO薄膜的方阻随溅射功率的增加而下降;经过热处理,ITO薄膜可见光透光率从60.4%增加到88.3%;ITO薄膜在360 nm到380 nm的紫光区域透光率最低,760 nm到800nm的红光区域透光率达到最高.
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| 关 键 词： | ITO薄膜 直流磁控溅射 透光率 微观结构 光电性能 |
Microstructure and Optoelectrical Performance of ITO Film by DC Magnetron Sputtering |
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| GUI Tai-long,WANG Gang,ZHANG Xiu-fang,LIANG Dong.Microstructure and Optoelectrical Performance of ITO Film by DC Magnetron Sputtering[J].Journal of Electron Devices,2009,32(2). |
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| Authors: | GUI Tai-long WANG Gang ZHANG Xiu-fang LIANG Dong |
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| Affiliation: | Applied Science College;Harbin Univ.Sci.Tech.;Harbin 150080;China |
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