| 忆阻器材料的研究进展 |
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| 引用本文： | 曲翔,徐文婷,肖清华,刘斌,闫志瑞,周旗钢. 忆阻器材料的研究进展[J]. 材料导报, 2012, 26(11): 31-35 |
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| 作者姓名： | 曲翔 徐文婷 肖清华 刘斌 闫志瑞 周旗钢 |
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| 作者单位： | 1. 有研半导体材料股份有限公司,北京,100088
2. 有研半导体材料股份有限公司,北京100088;北京有色金属研究总院,北京100088 |
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| 摘 要： | 忆阻器(RRAM)是一种新兴的非挥发性存储器,具有简单的器件结构、较快的操作速度和相对较小的功耗。简述了忆阻器的基本原理以及该领域材料方面的最新研究进展,其中重点介绍了HP忆阻器模型;综述了基于不同薄膜材料制备的忆阻器的特性,如有机材料、固态电解液材料、多元金属氧化物、二元金属氧化物等;阐述了忆阻器的重要意义及面临的巨大挑战,提出了未来该领域需要加强研究的若干问题。
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| 关 键 词： | 忆阻器 薄膜材料 阻变机制 电激励 |
Research Progress on Resistive Random Access Memory Materials |
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| QU Xiang , XU Wenting , XIAO Qinghua , LIU Bin , YAN Zhirui , ZHOU Qigang. Research Progress on Resistive Random Access Memory Materials[J]. Materials Review, 2012, 26(11): 31-35 |
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| Authors: | QU Xiang XU Wenting XIAO Qinghua LIU Bin YAN Zhirui ZHOU Qigang |
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| Affiliation: | 1 (1 GRINM Semiconductor Materials Co.Ltd.,Beijing 100088;2 General Research Institute for Non-ferrous Metals,Beijing 100088) |
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