| MOCVD两步生长法制备GaN量子点 |
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| 引用本文： | 陈鹏,沈波,王牧,周玉刚,陈志忠,臧岚,刘小勇,黄振春,郑有,闵乃本,杭寅.MOCVD两步生长法制备GaN量子点[J].高技术通讯,1998,8(6):5-8. |
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| 作者姓名： | 陈鹏 沈波 王牧 周玉刚 陈志忠 臧岚 刘小勇 黄振春 郑有 闵乃本 杭寅 |
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| 作者单位： | 1. 南京大学物理系固体微结构实验室,南京,210093
2. 中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,230031 |
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| 摘 要： | 报道了用金属有机化学气相沉积方法在蓝宝石衬底上成功地制备出ＧａＮ量子点。
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| 关 键 词： | 氮化镓 MOCVD 量子点 中间亚稳态相 |
The Fabrication of GaN Quantum Dots Using Metalorganic Chemical Vapor Deposition |
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| Chen Peng,Shen Bo,Wang Mu,Zhou Yugang,Chen Zhizhong,Zang Lan,Liu Xiaoyong,Huang Zhenchun,Zheng Youdou,Min Naiben,Hang Yin.The Fabrication of GaN Quantum Dots Using Metalorganic Chemical Vapor Deposition[J].High Technology Letters,1998,8(6):5-8. |
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| Authors: | Chen Peng Shen Bo Wang Mu Zhou Yugang Chen Zhizhong Zang Lan Liu Xiaoyong Huang Zhenchun Zheng Youdou Min Naiben Hang Yin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN quantum dots Metalorganic chemical vapor deposition Intermediate phase |
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