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| 半导体材料 | |
| 摘 要： | 0118276高倍增 GaAs 光电导开关中的单电荷畴[刊]/施卫//西安理工大学学报.—2001,17(2).—113～116(K)给出了高倍增 SI-GaAs 光电导开关中在临界光能、电场阈值触发条件下的瞬态光激发电荷畴现象的实验结果,进一步讨论了生成畴的光、电阈值条件。提出用类似于耿畴的单电荷畴的物理模型来描述高倍增GaAs 光电导开关中的 Lock-on 效应。分析了单电荷畴的形成和辐射发光的物理过程,并对 Lock-on 效应的典型现象作了物理解释。参10 |
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