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表征硅片中氧的深度分布的间接测试方法
引用本文:
闵靖,邹子英.表征硅片中氧的深度分布的间接测试方法[J].上海计量测试,2000(5):38-39.
作者姓名:
闵靖
邹子英
作者单位:
上海市计量测试技术研究院
摘 要:
本文介绍了利用硅中产生热施主的退火,结合磨角和扩展电阻测试,用硅片的电阻率变化的纵向分布,来间接发表征硅片中的氧的深度分布的测试方法。
关 键 词:
硅片
氧
深度分布
电阻率
热施主退火
测试
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