| 沟槽功率MOS器件的多晶Si填槽工艺研究 |
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| 引用本文： | 秦晓静,周建伟,康效武. 沟槽功率MOS器件的多晶Si填槽工艺研究[J]. 半导体技术, 2010, 35(4): 365-368. DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.04.017 |
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| 作者姓名： | 秦晓静 周建伟 康效武 |
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| 作者单位： | 河北工业大学,微电子技术与材料研究院,天津,300401;河北工业大学,微电子技术与材料研究院,天津,300401;河北工业大学,微电子技术与材料研究院,天津,300401 |
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| 摘 要： | 介绍了多晶Si薄膜的成膜机理及其在集成电路中的应用,针对沟槽功率MOSFET集成电路制造中两种主流多晶Si工艺的优点和不足进行了分析和对比。从栅氧化层厚度分布和Arriving Angle模型两个方面分析了沟槽中多晶Si空洞的形成机制。阐述了金属通过多晶Si空洞穿透Si衬底导致器件失效的理论,并通过失效器件的FIB分析对理论加以证实。最后基于Arriving Angle模型理论,在试验中改变沟槽顶端和底部宽度,将沟槽刻蚀成倒梯形的结构,以多晶Si填充沟槽经历高温退火工艺再进行SEM分析。分析结果证实,改变沟槽顶端和底部宽度可彻底消除沟槽中多晶Si的空洞,提高器件的可靠性。
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| 关 键 词： | 集成电路 沟槽 功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管 多晶硅 晶粒 栅极 |
Study on Poly Deposition Process for Power MOSFET Manufacture |
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| Qin Xiaojing,Zhou Jianwei,Kang Xiaowu. Study on Poly Deposition Process for Power MOSFET Manufacture[J]. Semiconductor Technology, 2010, 35(4): 365-368. DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.04.017 |
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| Authors: | Qin Xiaojing Zhou Jianwei Kang Xiaowu |
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