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| 100μm大晶粒多晶硅薄膜的铝诱导法制备 | |
| 作者姓名： | 唐正霞 沈鸿烈 解尧 鲁林峰 江枫 沈剑沧 |
| 作者单位： | 南京航空航天大学,材料科学与技术学院,江苏,南京,210016;南京大学,物理学系固体微结构物理国家重点实验室,江苏,南京,210093 |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2006AA03Z219);;南京航空航天大学博士学位论文创新与创优基金资助项目(BCXJ08-10) |
| 摘 要： | 以Corning Eagle 2000玻璃为衬底,用磁控溅射法制备了glass/a-Si/Si O2/Al叠层结构,于Ar气保护下退火,制备了具有很强的(111)择优取向,最大晶粒尺寸达100μm的铝诱导晶化多晶硅薄膜。研究结果表明,非晶硅的氧化时间越长,所制备的多晶硅晶粒尺寸越大,当氧化时间达约47h后,再延长氧化时间对薄膜性能的影响不明显。还发现退火温度越高,晶粒越小,但是反应速率越快。 |
| 关 键 词： | 薄膜 多晶硅 铝诱导晶化 氧化时间 |
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