| 高速CMOS八位总线驱动器（L82C82／83）的工艺研究 |
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| 引用本文： | 郭玉璞. 高速CMOS八位总线驱动器（L82C82／83）的工艺研究[J]. 微处理机, 1997, 0(4): 12-15 |
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| 作者姓名： | 郭玉璞 |
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| 作者单位： | 电子工业部东北微电子研究所!沈阳110032 |
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| 摘 要： | 介绍了2／2.5μm硅栅CMOS高速八位总线驱动器（L82C82／83）的工艺技术，特别是工艺设计和工艺控制；讨论了关键工艺的控制条件、方法及试验结果。
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| 关 键 词： | CMOS 阈值电压 栅氧化层 场氧化层 |
Study of High-Speed CMOS Process for 8-bit General Bus Driver (L82C82/83) |
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| Guo Yupu. Study of High-Speed CMOS Process for 8-bit General Bus Driver (L82C82/83)[J]. Microprocessors, 1997, 0(4): 12-15 |
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| Authors: | Guo Yupu |
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| Keywords: | CMOS technology threshold Voltage gate oxide field oxide |
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