| SiC_w/Si_3N_4复合陶瓷的制备及介电性能的研究 |
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| 引用本文： | (中南大学粉末冶金研究院,湖南 长沙. SiC_w/Si_3N_4复合陶瓷的制备及介电性能的研究[J]. 稀有金属材料与工程, 2017, 46(4): 1061-1066 |
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| 作者姓名： | (中南大学粉末冶金研究院 湖南 长沙 |
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| 作者单位： | 中南大学粉末冶金研究院,中南大学粉末冶金研究院 |
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| 基金项目： | 973计划项目(2011CB605804);国家重点基础研究发展计划（973计划） |
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| 摘 要： | 采用凝胶注模成型工艺制备了SiC_w/Si_3N_4复合陶瓷,由扫描电镜(SEM)可以看出,随热处理温度升高,碳化硅晶须的长径比逐渐减小;随烧结温度升高,复合陶瓷开孔率降低,密度随晶须含量的增加而增加。研究表明,SiC_w/Si_3N_4复合陶瓷的介电常数实部和虚部随碳化硅晶须含量的增加而升高,当烧结温度为1600℃,晶须含量从5%增加到15%时,8 GHz时介电常数实部从13.4增加到22.8,虚部从0.67增加到4.86;当烧结温度为1750℃时,8 GHz时介电常数实部从9.2增加到21.7,虚部从0.51增加到3.02。由反射率曲线可以看出,烧结温度为1750℃比1600℃时反射衰减随晶须含量的增加向低频移动的更快,频宽更宽。
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| 关 键 词： | SiCw Si3N4 复合陶瓷 凝胶注模成型 介电性能 |
| 收稿时间： | 2014-12-14 |
| 修稿时间： | 2015-01-28 |
Preparition and Dielectric properties of SiCw/Si3N4 composite ceramic |
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| xiao weiling and xiao peng. Preparition and Dielectric properties of SiCw/Si3N4 composite ceramic[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2017, 46(4): 1061-1066 |
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| Authors: | xiao weiling and xiao peng |
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| Affiliation: | State Key Laboratory for Powder Metallurgy, Central South University,,State Key Laboratory for Powder Metallurgy, Central South University, |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiCw, Si3N4, Composite ceramics, Gel-casting, Dielectric property. |
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