|
|||||
|
|
| Zn在GaAs中的高浓度扩散 | |
| 作者姓名： | 许兆鹏 |
| 作者单位： | 南京固体器件研究所 |
| 摘 要： | 本文描述了以ZnAs_2作P型杂质源,在CaAs中扩散,获得浅结(0.1至几微米)、高表面浓度的相图依据、实验技术与结果.此技术已经成功地应用于五个系列的GaAs变容管的研制生产中.预期对开展双异质结激光器的研制也是极有用的.文章对Zn在GaAs中的扩散机构作了简要介绍,给出了估算表面浓度的近似方法.附录中简要给出了ZnAs_2的性质. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||||
|
||||||||||||||||
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |