IGBT平面高压终端结构的研究

耐压是IGBT的一个重要参数，所以其高压终端结构的研究一直受到人们的重视。针对常规采用的场限制保护环法和场板法高压终端结构的缺陷，本文提出了场板混合终端结构。此结构结合了场限制环和场板的各自优点，可使得击穿电压对环间距、氧化层厚度及氧化层电荷的敏感程度大大降低，从而简化了工艺的复杂性，并可获得最佳的耐压效果。本文首先对场板混合终端结构的优化设计进行了解析研究，提出了一套完整的设计理论，然后通过实验验证了此理论的正确性。