| H2稀释比对RF-PECVD制备a-Si:H/nc-Si:H薄膜的光电特性的影响 |
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| 引用本文： | 程自亮,蒋向东,王继岷,刘韦颖,连雪艳. H2稀释比对RF-PECVD制备a-Si:H/nc-Si:H薄膜的光电特性的影响[J]. 电子器件, 2015, 38(3) |
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| 作者姓名： | 程自亮 蒋向东 王继岷 刘韦颖 连雪艳 |
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| 作者单位： | 电子科技大学光电信息学院,成都,610054 |
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| 摘 要： | 研究了H2稀释比对a-Si：H/nc-Si：H薄膜光电特性及微结构的影响。采用RF-PECVD法，以高纯SiH4及H2/SiH4混合气体为反应气源交替反应制备样品，并通过紫外-可见光分光光度计、椭偏仪及Keithley 4200、XRD对样品进行分析测试。实验表明：在纳米级厚度的a-Si：H薄膜基础上，随着第二反应气H2/SiH4混合气中H2比率(99%、97%、95%、92%、80%)的升高，沉积速率持续下降，薄膜消光系数、禁带宽度以及电导率呈现先增大后减小的趋势。针对实验现象，结合薄膜生长机理对实验结果原因进行了分析。
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| 关 键 词： | a-Si:H/nc-Si:H 氢稀释 RF-PECVD(射频等离子体化学气相沉积) 光电性能 生长机理 |
Influence of H2 Dilution on the Optical and electronical Properties of a-Si:H/nc-Si:H Films Deposited by RF-PECVD |
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| CHENG Ziliang,JIANG Xiangdong? , Wang Jimin,LIU Weiying,LIAN Xueyan. Influence of H2 Dilution on the Optical and electronical Properties of a-Si:H/nc-Si:H Films Deposited by RF-PECVD[J]. Journal of Electron Devices, 2015, 38(3) |
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| Authors: | CHENG Ziliang JIANG Xiangdong? Wang Jimin LIU Weiying LIAN Xueyan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | a-Si:H/nc-Si:H Hydrogen dilution RF-PECVD optical and electronical properties growing mechanis |
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