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| 非对称型门极换流晶闸管模拟 | |
| 引用本文： | 王颖,吴春瑜,曹菲,刘云涛.非对称型门极换流晶闸管模拟[J].功能材料与器件学报,2007,13(6):661-665. |
| 作者姓名： | 王颖 吴春瑜 曹菲 刘云涛 |
| 作者单位： | 1. 哈尔滨工程大学信息与通信工程学院,哈尔滨,150001 2. 辽宁大学物理系,沈阳,110036 3. 哈尔滨工程大学信息与通信工程学院,哈尔滨,150001;辽宁大学物理系,沈阳,110036 |
| 摘 要： | 建立了非对称型门极换流晶闸管器件模型，对其进行了工艺模拟和器件模拟。模拟结果表明，缓冲层与透明阳极各自区域中的杂质总量是决定GCT的通态压降的关键因素。通过协调各自区域的峰值掺杂浓度与厚度，可以合理地控制该区域的杂质总量，降低GCT的通态压降。n基区的寿命变化对器件的通态压降影响十分明显，辐照剂量的选取要折衷关断时间和通态压降的要求。 |
| 关 键 词： | 缓冲层 透明阳极 通态压降 寿命控制 |
| 文章编号： | 1007-4252(2007)06-0661-05 |
| 修稿时间： | 2006年7月10日 |
Simulation of asymmetric gate commutate thyristor |
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| WANG Ying,WU Chun-yu,CAO Fei,LIU Yun-tao.Simulation of asymmetric gate commutate thyristor[J].Journal of Functional Materials and Devices,2007,13(6):661-665. | |
| Authors: | WANG Ying WU Chun-yu CAO Fei LIU Yun-tao |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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