|
|||||
|
|
| 消息报道 | |
| 摘 要： | 苏州纳米所利用氮化镓器件从事核应用研究取得系列成果氮化镓(GaN)是一种III/V直接带隙半导体,作为第三代半导体材料的代表,随着其生长工艺的不断发展完善,现已广泛应用于光电器件领域,如激光器(LD)、发光二极管(LED)、高电子迁移率晶体管(HEMT)等。GaN基材料的良好抗辐射性能和环境稳定性,使得其在核探测领域具有很好的应用前景,在新型核电池领域也具有巨大的应用潜力。因为GaN辐生伏特效应核电池 |
| 关 键 词： | 重金属离子 应用前景 高电子迁移率晶体管 薄膜晶体管 直接带隙半导体 氮化镓 离子液体 配合物 核电池 发展完善 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |