采用新型锰源用MOCVD技术制备ZnS:Mn电致发光层

在用MOCVD技术制备ZnS:Mn多晶薄膜的过程中,用CPM(C_5H_5)_2Mn:2-π-茂基锰]和BCPM(CH_3C_5H_4)_2Mn:二甲基茂基锰]作新的掺杂源,并与早些时候使用的TCM(CH_3C_5H_4)Mn(CO)_3:三碳酰甲基茂基锰]做了与较。与即使在400-500℃也仅有部分分解的TCM相比,CPM和BCPM在ZnS的最佳生长温度即280-350℃就完全分解。在热分解的时候,TCM产生含有锰和碳酰的副产品,它对发光不起作用;而CPM和BCPM则不是这样。由于它的这些优点,用CPM或BCPM制备的器件有更高的亮度。用CPM制备的厚度为500nm的ZnS:Mn层在1kHz正弦波激发下的最大光效(ηmax)为4.81m/W,而饱和亮度(Lsat)为4300cd/m~2。至于BCPM,则得到3150cd/m~2的饱和亮度。而用TCM制备的器件的亮度则低于1000cd/m~2,光效低于1lm/W。当与红色滤光片联用时,采用具有CPM或BCPM的MOCVD制备的ZnS:Mn还能提供有效的红色EL。当使用截止波长为590nm的玻璃滤光片时,在1kHz正弦波激发下,用CPM制备的EL器件产生的Lsat为1420cd/m~2,ηmax为1.6lm/W,色座标值x=0.4626,y=0.373。