纳米硅镶嵌复合薄膜退火前后的微结构及发光特性研究 |
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引用本文: | 肖瑛,刘涌,韩高荣.纳米硅镶嵌复合薄膜退火前后的微结构及发光特性研究[J].真空科学与技术学报,2004,24(Z1):71-75. |
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作者姓名: | 肖瑛 刘涌 韩高荣 |
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作者单位: | 肖瑛(浙江大学材料系,硅材料国家重点实验室,杭州,310027)
刘涌(浙江大学材料系,硅材料国家重点实验室,杭州,310027)
韩高荣(浙江大学材料系,硅材料国家重点实验室,杭州,310027) |
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基金项目: | 国家自然科学基金,教育部跨世纪优秀人才培养计划 |
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摘 要: | 采用减压化学气相沉积方法,依靠纯N2稀释的SiH4气体的热分解反应,在玻璃表面生长了纳米硅镶嵌的复合薄膜.实验研究了退火前后薄膜样品的结晶状态和光致发光特性.结果表明,未退火样品的光致发光特性随沉积温度升高反而减弱.退火温度Ta>600℃时,晶化趋势明显,Ta<600℃时,退火温度对晶化的贡献不大,但提高退火温度或延长退火时间可以增加PL强度.同时在退火样品中发现Si-Ox的单晶结构.通过Raman、PL、TEM的分析比较,认为在退火前后分别有两种不同的发光机制起主导作用.
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关 键 词: | 纳米硅 化学气相沉积 退火 光致发光 |
文章编号: | 1672-7126(2004)增-071-05 |
Influence of Annealing on Microstructures and Photoluminescence of Nano-Composite Silicon Film |
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Abstract: | |
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Keywords: | |
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