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F-N应力下SOI n-MOSFETs性能退化与栅控二极管产生-复合(G-R)电流的对应关系
作者姓名:何进  马晨月  王昊  陈旭  张晨飞  林信南  张兴
作者单位:Key Laboratory of Integrated Microsystems;School of Computer & Information Engineering;Peking University Shenzhen Graduate School;TSRC;Institute of Microelectronics;School of Electronic Engineering and Computer Science;Peking University;
摘    要:本文验证了F-N应力导致的SOI n- MOSFET器件性能退化与栅控二极管的产生-复合(G-R)电流的对应关系。F-N应力导致的界面态增加会导致SOI-MOSFET结构的栅控二极管的产生-复合(G-R)电流增大,以及MOSFET饱和漏端电流,亚阈斜率等器件特性退化。通过一系列的SOI-MOSFET栅控二极管和直流特性测试,实验观察到饱和漏端电流的线性退化和阈值电压的线性增加,亚阈摆幅的类线性上升以及相应的跨导退化。理论和实验证明栅控二极管是一种很有效的监控SOI-MOSFET退化的方法。

关 键 词:MOSFET退化  F-N应力  界面陷阱  栅控二极管方法  SOI技术
修稿时间:2009-08-02
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