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Zn0.85Co0.15O薄膜的制备及其结构分析
引用本文:李爱侠,苏凤莲,周圣明,刘艳美,赵宗彦. Zn0.85Co0.15O薄膜的制备及其结构分析[J]. 真空科学与技术学报, 2003, 23(5): 353-355
作者姓名:李爱侠  苏凤莲  周圣明  刘艳美  赵宗彦
作者单位:安徽大学物理系,安徽合肥,230039
基金项目:安徽省自然科学基金(No.00047208)
摘    要:用电子束蒸镀方法在(100)单晶Si衬底上,生长Zn0.85Co0.15O薄膜,并研究了衬底温度对薄膜质量的影响,结果表明当衬底温度为400℃时,外延膜取向性最好,且其(002)衍射峰半高宽最窄(为0.4834°)。

关 键 词:电子束反应蒸镀  Zn0.85Co0.15O薄膜  衬底温度  微结构
文章编号:0253-9748(2003)05-0353-03
修稿时间:2003-03-02

Growth and Microstructures of Zn0.85Co0.15O Films
Li Aixia,Su Fenglian,Zhou Shengming,Liu Yanmei and Zhao Zongyan. Growth and Microstructures of Zn0.85Co0.15O Films[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2003, 23(5): 353-355
Authors:Li Aixia  Su Fenglian  Zhou Shengming  Liu Yanmei  Zhao Zongyan
Abstract:
Keywords:E-beam evaporation  Zn0.85Co0.15O film  Substrate temperature   Microstructure
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