| 氢化物气相外延氮化镓衬底的制备研究 |
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| 引用本文： | 陈洪建,张维连,陈贵峰,李养贤.氢化物气相外延氮化镓衬底的制备研究[J].稀有金属,2007,31(Z1):87-90. |
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| 作者姓名： | 陈洪建 张维连 陈贵峰 李养贤 |
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| 作者单位： | 河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130 |
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| 摘 要： | 目前异质外延技术能够得到较高质量的氮化镓(GaN)薄膜,衬底普遍采用蓝宝石、碳化硅以及硅等.各种技术包括缓冲层、外延横向生长技术、悬挂外延技术等是目前最重要的制备氮化镓技术.氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓衬底最有希望的方法之一.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了氮化镓体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延原理,分析了HVPE制备自支撑(FS)GaN衬底方法,综述了HVPE技术国内外研究进展.
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| 关 键 词： | 氮化镓(GaN) 氢化物汽相外延(HVPE) 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 自支撑氮化镓(FS GaN) |
| 文章编号： | 0258-7076(2007)-0087-04 |
| 修稿时间： | 2007年3月10日 |
Research on Qreparation for GaN Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy |
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| Chen Hongjian,Zhang Weilian,Chen Guifeng,Li Yangxian.Research on Qreparation for GaN Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy[J].Chinese Journal of Rare Metals,2007,31(Z1):87-90. |
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| Authors: | Chen Hongjian Zhang Weilian Chen Guifeng Li Yangxian |
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