| 湿法化学腐蚀在GaN基材料中的应用 |
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| 引用本文： | 陈杰,许金通,王玲,李向阳,张燕.湿法化学腐蚀在GaN基材料中的应用[J].激光与红外,2007,37(Z1). |
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| 作者姓名： | 陈杰 许金通 王玲 李向阳 张燕 |
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| 摘 要： | 文中计算了AlGaN材料在不同温度KOH水溶液中的湿法腐蚀速率,并研究了湿法化学腐蚀GaN基材料对消除干法刻蚀所引入损伤的作用.为了对比湿法化学腐蚀消除干法刻蚀损伤的效果,分别利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇电子能谱(AES)对比Ar 干法刻蚀后经湿法化学腐蚀处理和未经处理的表面形貌及组分,并制作了单元可见盲器件,测试其反向漏电流,发现在干法刻蚀后引入湿法化学腐蚀工艺可使器件的反向漏电流得到较大程度的减小.
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| 关 键 词： | 湿法化学腐蚀 GaN基 干法刻蚀损伤 反向漏电流 湿法化学腐蚀工艺 基材料 应用 Materials Chemical Etching 程度 发现 反向漏电流 测试 器件 单元 制作 组分 表面形貌 腐蚀处理 俄歇电子能谱 电子显微镜 原子力 扫描 利用 |
Application of Wet Chemical Etching in GaN-based Materials |
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| CHEN Jie,XU Jin-tong,WANG Ling,LI Xiang-yang,ZHANG Yan.Application of Wet Chemical Etching in GaN-based Materials[J].Laser & Infrared,2007,37(Z1). |
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| Authors: | CHEN Jie XU Jin-tong WANG Ling LI Xiang-yang ZHANG Yan |
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