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| GexSi1—x／Si应变层超晶格光伏特性研究 | |
| 引用本文： | 朱文章,刘士毅.GexSi1—x／Si应变层超晶格光伏特性研究[J].红外与毫米波学报,1992,11(2):134-138. |
| 作者姓名： | 朱文章 刘士毅 |
| 作者单位： | 厦门大学物理系，厦门大学物理系 福建，厦门，361005，福建，厦门，361005 |
| 基金项目： | 复旦大学应用表面物理国家实验室资助 |
| 摘 要： | 采用电容耦合法测量了Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格在不同温度下的光伏特性.在Ⅱ型能带排列的样品中观测到价带-导带子带和价带子带-导带光跃迁的4个峰.对所有样品测得的光伏截止波长都比理论预期值小.还对光电压随温度的变化作了初步解释. |
| 关 键 词： | 光伏效应 半导体 应变层超晶格 |
INVESTIGATION ON PHOTOVOLTAIC CHARACTERISTICS OF Ge_xSi_(1-x)/Si STRAINED-LAYER SUPERLATTICES |
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| Zhu Wenzhang,Liu Shiyi.INVESTIGATION ON PHOTOVOLTAIC CHARACTERISTICS OF Ge_xSi_(1-x)/Si STRAINED-LAYER SUPERLATTICES[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,1992,11(2):134-138. | |
| Authors: | Zhu Wenzhang Liu Shiyi |
| Abstract: | |
| Keywords: | photovoltaic effect strained-layer superlattices interband optical transitions |
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