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| SIMOX材料的TEM研究 | |
| 作者姓名： | 李映雪 奚雪梅 王兆江 张兴 王阳元 林成鲁 |
| 作者单位： | 北京大学微电子研究所，中国科学院上海冶金研究所 |
| 摘 要： | 在注入能量为１７０ｋｅＶ，注入剂量从０．６×１０１８／ｃｍ２到１．８×１０１８／ｃｍ２范围，改变注入方式，利用ＴＥＭ技术观察了形成ＳＩＭＯＸ的结构．注入剂量为０．６×１０１８／ｃｍ２时，可以获得连续的ＳｉＯ２埋层且顶部硅层基本上无穿通位错产生；注入剂量为１．５×１０１８／ｃｍ２时，采用双重注入可以获得质量很好的ＳＩＭＯＸ结构，顶部硅层仅有较少的穿通位错；注入剂量为１．８×１０１８／ｃｍ２时，三重注入可以获得质量好的ＳＩＭＯＸ结构，顶部硅层穿通位错稍多． |
| 关 键 词： | SIMOX材料 TEM 半导体材料 |
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