| 用~(252)Cf裂片源研究单粒子烧毁和栅穿效应的方法 |
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| 引用本文： | 唐本奇,王燕萍,耿斌,陈晓华,贺朝会,杨海亮.用~(252)Cf裂片源研究单粒子烧毁和栅穿效应的方法[J].原子能科学技术,2000(4). |
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| 作者姓名： | 唐本奇 王燕萍 耿斌 陈晓华 贺朝会 杨海亮 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所!陕西西安710024 |
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| 摘 要： | 建立了2 5 2 Cf裂片源模拟空间重离子的单粒子烧毁 (SEB)和单粒子栅穿 (SEGR)效应的实验方法和测试装置 ,并利用该装置进行了功率MOS场效应晶体管的SEB、SEGR效应研究 ,给出了被测试器件SEB、SEGR效应的损伤阈值。结果表明 ,该测试系统和实验方法是可行、可靠的。
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| 关 键 词： | 功率MOS器件 单粒子烧毁 单粒子栅穿 |
Burnout and Gate Rupture of Power MOS Transistors With Fission Fragments of ~(252)Cf |
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| TANG Ben qi,WANG Yan ping,GENG Bin,CHEN Xiao hua,HE Chao hui,YANG Hai liang.Burnout and Gate Rupture of Power MOS Transistors With Fission Fragments of ~(252)Cf[J].Atomic Energy Science and Technology,2000(4). |
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| Authors: | TANG Ben qi WANG Yan ping GENG Bin CHEN Xiao hua HE Chao hui YANG Hai liang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | power MOS transistor single event burnout single event gate rupture |
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