| 量子限制效应对受主跃迁的影响 |
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| 引用本文： | 初宁宁,郑卫民.量子限制效应对受主跃迁的影响[J].红外,2009,30(11):12-16. |
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| 作者姓名： | 初宁宁 郑卫民 |
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| 作者单位： | 山东大学威海分校空间科学与物理学院,山东,威海,264209 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，山东省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 通过光致发光光谱,研究了量子限制效应对GaAs体材料中均匀掺杂和一系列GaAs/AlAs多量子阱(阱宽范围从30A到200A)中δ-掺杂浅受主杂质铍(Be)原子带间跃迁的影响.实验中所用的样品是利用分子束外延技术生长的均匀掺Be受主的GaAs外延层和一系列在量子阱的中央进行了浅受主Be原子δ-掺杂的GaAs/AlAs多量子阱.在4.2K的低温下,测量了上述样品的光致发光谱,很清楚地观察到了受主束缚激子从基态1S3/2(Γ6)到两个激发态2S3/2(Γ6)和3S3/2(Γ6)的双空穴跃迁.研究发现,随着量子限制效应的增强,受主跃迁能量会增加.对量子限制效应调节受主杂质问跃迁能量的研究,进一步增强了对受主能态可调性的认识,为太赫兹远红外发光器或激光器的研发提供了一种新的途径.
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| 关 键 词： | 量子限制效应 GaAs/AlAs多量子阱 δ掺杂 光致发光(PL)谱 |
| 收稿时间： | 6/8/2009 12:00:00 AM |
| 修稿时间： | 2009/6/17 0:00:00 |
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