| 硅基光电探测器前置放大电路的输入级CMOS实现 |
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| 引用本文： | 梁恩主,冯军,郑婉华,王志功,陈良惠. 硅基光电探测器前置放大电路的输入级CMOS实现[J]. 半导体技术, 2001, 26(9): 1-2,16 |
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| 作者姓名： | 梁恩主 冯军 郑婉华 王志功 陈良惠 |
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| 作者单位： | 1. 中科院半导体研究所工程中心,
2. 东南大学射光所 |
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| 摘 要： | 介绍前置电路对光电探测器性能的影响和给出一种适用于硅基光电探测器前置放大电路的输入级CMOS实现。
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| 关 键 词： | 光电集成电路 CMOS 光电探测器 前置放大电路 硅基 |
| 文章编号： | 1003-353(2001)09-0001-02 |
CMOS realization of the input stage of the preamplifier for Si-based photodetector |
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| LIANG En-zhu,FENG Jun,ZHENG Wan-hua,WANG Zhi-gong,CHEN Liang-hui. CMOS realization of the input stage of the preamplifier for Si-based photodetector[J]. Semiconductor Technology, 2001, 26(9): 1-2,16 |
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| Authors: | LIANG En-zhu FENG Jun ZHENG Wan-hua WANG Zhi-gong CHEN Liang-hui |
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| Abstract: | We will bring forward a new input stage based on Si CMOS technology, which can be employed in the preamplifiers for Si optodetectors. |
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| Keywords: | optoelectronic integrated circuit (OEIC) CMOS detector |
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