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| 等离子体腐蚀工艺实验 | |
| 引用本文： | 黄志涛.等离子体腐蚀工艺实验[J].微细加工技术,1983(2). |
| 作者姓名： | 黄志涛 |
| 摘 要： | 一、前言等离子体技术在半导体器件工艺中应用很广,它除了能作微细图形的腐蚀外,还可以进行抛光,清洗、镀膜等加工。我们用CF_4气体对硅和硅化合物进行了腐蚀实验,取得了一些结果。通常腐蚀工艺用的等离子体是在0.01——0.1托真空中,通入CF_4,CCl_4,SF_6等活性气体,在高频电场作用下活性气体辉光放电,形成非平衡低温等离子体。其特点是电离度低,气体温度低(1)。等离子体内的粒子之间的相互碰撞,激励分子的内部运动,如振动,转动,电子跃迁等,例如双原子的分子A_2和电子e的碰撞(2),对应于电子能量的大小,可以发生如下的反应 |
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