|
|||||
|
|
| 阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析 | |
| 作者姓名： | 段宝兴 张波 李肇基 |
| 作者单位： | 电子科技大学IC设计中心,成都,610054;电子科技大学IC设计中心,成都,610054;电子科技大学IC设计中心,成都,610054 |
| 摘 要： | 提出了一种阶梯埋氧型SOI（SBOSOI）RESURF器件结构,并解释了该结构的场调制耐压机理,通过2D MEDICI仿真验证了调制机理的正确性．优化了阶梯埋氧阶梯数与耐压的关系,得出阶梯数为3时耐压达到饱和．模拟仿真了比导通电阻和击穿电压,结果表明该结构在埋层厚度为0.2～0.8μｍ时可使比导通电阻降低40%～50%,耐压提高30%～50％;漂移区厚度小于1μｍ时比导通电阻降低10%～50%,耐压提高10%～50%． |
| 关 键 词： | SOI RESURF结构 阶梯埋氧型SOI 电场调制 比导通电阻 |
| 文章编号： | 0253-4177（2005）07-1396-05 |
| 收稿时间： | 2004-11-17 |
| 修稿时间： | 2004-12-23 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |