| 阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析 |
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| 引用本文： | 段宝兴,张波,李肇基. 阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析[J]. 半导体学报, 2005, 26(7): 1396-1400 |
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| 作者姓名： | 段宝兴 张波 李肇基 |
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| 作者单位： | 电子科技大学IC设计中心,成都,610054;电子科技大学IC设计中心,成都,610054;电子科技大学IC设计中心,成都,610054 |
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| 摘 要： | 提出了一种阶梯埋氧型SOI（SBOSOI）RESURF器件结构，并解释了该结构的场调制耐压机理，通过2D MEDICI仿真验证了调制机理的正确性．优化了阶梯埋氧阶梯数与耐压的关系，得出阶梯数为3时耐压达到饱和．模拟仿真了比导通电阻和击穿电压，结果表明该结构在埋层厚度为0.2～0.8μｍ时可使比导通电阻降低40%～50%，耐压提高30%～50％；漂移区厚度小于1μｍ时比导通电阻降低10%～50%，耐压提高10%～50%．
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| 关 键 词： | SOI RESURF结构 阶梯埋氧型SOI 电场调制 比导通电阻 |
| 文章编号： | 0253-4177（2005）07-1396-05 |
| 收稿时间： | 2004-11-17 |
| 修稿时间： | 2004-12-23 |
Breakdown Voltage Analysis for a Step Buried Oxide SOI Structure |
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| Duan Baoxing,Zhang Bo,Li Zhaoji. Breakdown Voltage Analysis for a Step Buried Oxide SOI Structure[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(7): 1396-1400 |
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| Authors: | Duan Baoxing Zhang Bo Li Zhaoji |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SOI RESURF structure step buried oxide SOI electric field modulation on-resistance |
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