| 螺旋波等离子体沉积纳米硅薄膜结构特性 |
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| 引用本文： | 于威,朱海丰,王保柱,韩理,傅广生. 螺旋波等离子体沉积纳米硅薄膜结构特性[J]. 功能材料与器件学报, 2004, 10(2): 177-181 |
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| 作者姓名： | 于威 朱海丰 王保柱 韩理 傅广生 |
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| 作者单位： | 河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002;河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002;河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002;河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002;河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002 |
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| 基金项目： | 河北省自然基金(503129) |
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| 摘 要： | 采用螺旋波等离子体化学气相沉积(HWPCVD)技术，以SiH4作为源反应气体在Si(100)和玻璃衬底上制备了纳米Si薄膜。通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱、原子力显微镜(AFM)对所制备的材料结构和形貌等特性进行表征，分析了纳米Si薄膜结构随衬底温度变化的规律。实验结果表明，在较低的衬底温度(100-300℃)范围内，可以实现高晶化度纳米Si薄膜的沉积，颗粒大小在4-8nm之间，样品的晶化度随着衬底温度升高而升高，晶粒大小也随之增大，样品表面光滑，晶粒分布均匀。
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| 关 键 词： | 螺旋波等离子体化学气相沉积 纳米硅薄膜 结构特性 |
| 文章编号： | 1007-4252(2004)02-0177-05 |
| 修稿时间： | 2003-09-18 |
Structural properties of nanocrystalline silicon films deposited by helicon wave enhanced chemical vapor deposition |
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| YU Wei,ZHU Hai-feng,WANG Bao-zhu,HAN Li,FU Guang-sheng. Structural properties of nanocrystalline silicon films deposited by helicon wave enhanced chemical vapor deposition[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2004, 10(2): 177-181 |
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| Authors: | YU Wei ZHU Hai-feng WANG Bao-zhu HAN Li FU Guang-sheng |
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| Keywords: | HWPCVD nanocrystalline Si films structural properties |
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