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| 高纯度砷、锑中微量硫的测定 | |
| 引用本文： | 杨南生,郑德贵.高纯度砷、锑中微量硫的测定[J].稀有金属,1980(3). |
| 作者姓名： | 杨南生 郑德贵 |
| 作者单位： | 峨眉半导体材料研究所，峨眉半导体材料研究所 |
| 摘 要： | 近十年来,随着半导体工艺的发展,以Ⅲ—Ⅴ族化合物为材料的半导体器件的种类与品种日益增多,实践证明器件的迁移率、电阻率受到所含杂质的影响,尤其是受含微量硫危害更大。器件的性能不仅与其工艺条件有关,很大程度还取决于基础材料如高纯 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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