| 可调谐DBR激光器、电吸收调制DFB激光器用高质量InGaAsP-MQW材料的选择区域生长 |
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| 引用本文： | 张静媛,刘国利,汪孝杰,张佰君,陈娓兮,朱洪亮,王圩.可调谐DBR激光器、电吸收调制DFB激光器用高质量InGaAsP-MQW材料的选择区域生长[J].量子电子学报,2000,17(5):461-462. |
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| 作者姓名： | 张静媛 刘国利 汪孝杰 张佰君 陈娓兮 朱洪亮 王圩 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所光电子国家工艺中心,北京,100083 |
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| 基金项目： | "863"高技术计划(项目编号:307-11-1(15))和国家自然科学基金(批准号: 69896260)资助项目. |
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| 摘 要： | 本文报道了采用选择区域生长（Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ ａｒｅａ ｇｒｏｗｔｈ, ＳＡＧ）方法,在 ＳｉＯ２作掩膜的 ＩｎＰ衬底上选择生长出高质量的 ＩｎＧａＡｓＰ－ＭＱＷ,并成功地制作出波长调谐范围达 ６．５ ｎｍ的可调谐 ＤＢＲ激光器和性能可靠的电吸收调制ＤＦＢ激光器．ＳＡＧ成为实现光子集成器件的有效途径,得到广泛的研究,并已实现了ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成 （ｅｌｅｃｔｒｏａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ ｍｏｄｕｌａｔｅｄ ＤＦＢ Ｌａｓｅｒ, ＥＭＬ）．我们在国内率先开展这方面的研究,并取得重大的突破． 采用 …
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