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| 高性能SiC整流二极管研究 | |
| 引用本文： | 杨霏,商庆杰,李亚丽,闫锐,默江辉,潘宏菽,李佳,刘波,冯志红,付兴昌,何庆国,蔡树军,杨克武.高性能SiC整流二极管研究[J].微纳电子技术,2010,47(7). |
| 作者姓名： | 杨霏 商庆杰 李亚丽 闫锐 默江辉 潘宏菽 李佳 刘波 冯志红 付兴昌 何庆国 蔡树军 杨克武 |
| 作者单位： | 1. 专用集成电路重点实验室,石家庄,050051 2. 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 3. 专用集成电路重点实验室,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
| 摘 要： | 在n型4H-SiC单晶导电衬底上制备了具有MPS(merged p-i-n Schottky diode)结构和JTE(junction termination extension)结构的肖特基势垒二极管。通过高温离子注入及相应的退火工艺,进行了区域性p型掺杂,形成了高真空电子束蒸发Ni/Pt/Au复合金属制备肖特基接触,衬底溅射Ti W/Au并合金做欧姆接触,采用场板和JTE技术减小高压电场集边效应。该器件具有良好的正向整流特性和较高的反向击穿电压。反向击穿电压可以达到1300V,开启电压约为0.7V,理想因子为1.15,肖特基势垒高度为0.93eV,正向电压3.0V时,电流密度可以达到700A/cm2。 |
| 关 键 词： | 碳化硅 击穿电压 合并p-i-n肖特基 肖特基接触 欧姆接触 场板 |
Investigation of High Performance SiC Diodes |
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| Yang Fei,Shang Qingjie,Li Yali,Yan Rui,Mo Jianghui,Pan Hongshu,Li Jia,Liu Bo,Feng Zhihong,Fu Xingchang,He Qingguo,Cai Shujun,Yang Kewu.Investigation of High Performance SiC Diodes[J].Micronanoelectronic Technology,2010,47(7). | |
| Authors: | Yang Fei Shang Qingjie Li Yali Yan Rui Mo Jianghui Pan Hongshu Li Jia Liu Bo Feng Zhihong Fu Xingchang He Qingguo Cai Shujun Yang Kewu |
| Affiliation: | Yang Fei1,Shang Qingjie1,Li Yali1,Yan Rui1,Mo Jianghui1,Pan Hongshu1,Li Jia1,Liu Bo1,Feng Zhihong1,Fu Xingchang2,He Qingguo1,Cai Shujun1,2,Yang Kewu1,2(1.Science , Technology on ASIC Laboratory,Shijiazhuang 050051,China,2.The 13th Research Institute,CETC,China) |
| Abstract: | 4H-SiC Schottky barrier diodes (SBDs) with merged p-i-n Schottky (MPS) structures and junction termination extension (JTE) structures were fabricated on the n-4H-SiC monocrystal conducting substrate.The p-type doped region was formed by high temperature ion implantation and annealing.High vacuum electron beam evaporation was used to deposit Ni/Pt/Au to form a Schottky contact,and the RF sputtering of TiW/Au and high temperature annealing were used to form an ohmic contact.The edge-crowding-effect was decrea... |
| Keywords: | SiC breakdown voltage merged p-i-n Schottky(MPS) Schottky contact ohmic contact field plated |
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