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激光再结晶SOM材料及压力传感器研究
引用本文:邢昆山,许学敏.激光再结晶SOM材料及压力传感器研究[J].电子学报,1989,17(1):108-111.
作者姓名:邢昆山  许学敏
作者单位:中国科学院上海冶金研究所 (邢昆山,许学敏,林成鲁,陈莉芝,谭松生),中国科学院上海冶金研究所(邹世昌)
摘    要:用CW Ar~+激光对B~+注入(60keV,5×10~(15)cm~(-2))非晶硅SOM材料进行辐照再结晶,获得了高灵敏度的压阻材料,其GF在30左右。结晶后的晶粒增大到10μm×40μm,且杂质分布均匀,电学性质大大提高。用该材料制备的桥路压力传感器,灵敏度为6mV/V bar,具有良好的输出线性度。

关 键 词:压力  传感器  SOM  压阻材料
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