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| IGBT的保护 | |
| 引用本文： | 陈义怀,胡卫华,王彦.IGBT的保护[J].电源技术应用,2004,7(5):282-285. |
| 作者姓名： | 陈义怀 胡卫华 王彦 |
| 作者单位： | 西安电子工程研究所，陕西西安710100 |
| 摘 要： | 通过对IGBT损坏机理的分析，根据其损坏的原因，采取相应措施对其进行保护，以保证其安全可靠工作。 |
| 关 键 词： | IGBT MOSFET 驱动 过压 浪涌 缓冲 过流 过热 保护 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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