| 静态随机存取存储器质子单粒子效应实验研究 |
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| 引用本文： | 贺朝会,杨海亮,耿斌,陈晓华,李国政,刘恩科,罗晋生. 静态随机存取存储器质子单粒子效应实验研究[J]. 核电子学与探测技术, 2000, 20(4): 253-257 |
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| 作者姓名： | 贺朝会 杨海亮 耿斌 陈晓华 李国政 刘恩科 罗晋生 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所,西安 |
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| 摘 要： | 描述了测量静态随机存取存储器质子单粒子翻转截面的实验方法。采用金箔散射法可以降低加速器质子束流五六个量级，从而满足半导体器件质子单粒子效应的要求。研制的弱流质子束流测量系统和建立的注量均匀性测量方法解决了质子注量的准确测量问题。提高了存储器单粒子效应长线测量系统的性能，保证了翻转数的准确测量。实验测得静态随机存取存储器质子单粒子翻转截面为１０＾－１４ｃｍ＾２／ｂｉｔ量级，随质子能量的增大略有增大。
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| 关 键 词： | 静态随机存取存储器 质子 单粒子效应 束流测量 |
| 修稿时间： | 1999-04-01 |
Experimental study on proton single event effects in static random access memories |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SRAM proton single event effects beam measurement |
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