| 一种非对称欠压锁定电路设计 |
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| 引用本文： | 张媛,汪西虎,商世广,董振斌.一种非对称欠压锁定电路设计[J].电子元件与材料,2022,41(5):539-544. |
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| 作者姓名： | 张媛 汪西虎 商世广 董振斌 |
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| 作者单位： | 西安邮电大学 电子工程学院, 陕西 西安 710121;上海电子线路智能保护工程技术研究中心,上海 201202,西安邮电大学 电子工程学院, 陕西 西安 710121,上海电子线路智能保护工程技术研究中心,上海 201202;上海维安电子有限公司, 上海 201202 |
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| 摘 要： | 传统带隙基准结构的欠压锁定(UVLO)电路存在结构复杂、温漂特性差、功耗高等缺陷。为精准实现低温漂，提出了一种欠压锁定电路结构，该结构基于差分放大器的非对称性产生滞回电压，进而降低了阈值电压的温度敏感性，提高了阈值电压的精度。该欠压保护电路通过反馈控制法产生了上、下门限阈值电压，克服了单个阈值抗干扰能力差的缺点。电路基于0.18μm BCD工艺设计，仿真结果表明：当电源电压高于上门限阈值电压(VIH)2.2 V时，芯片系统正常工作；当电源电压低于下门限阈值电压2.01 V时，芯片系统被关断；在-55～+125℃温度范围内，该电路的滞回电压为0.19 V,VIH温漂为0.01 V,滞回电压温漂为0.07 V,且该欠压锁定电路的功耗在3 V电源下为9.54μW。
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| 关 键 词： | 欠压锁定 滞回电压 阈值电压 温度漂移 功耗 |
Design of an asymmetrical undervoltage lockout circuit |
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| ZHANG Yuan,WANG Xihu,SHANG Shiguang,DONG Zhenbin.Design of an asymmetrical undervoltage lockout circuit[J].Electronic Components & Materials,2022,41(5):539-544. |
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| Authors: | ZHANG Yuan WANG Xihu SHANG Shiguang DONG Zhenbin |
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