| 基于物理结构的GaN HEMTs小信号等效电路的精确建模方法研究 |
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| 引用本文： | 缪文韬,王军,刘宇武. 基于物理结构的GaN HEMTs小信号等效电路的精确建模方法研究[J]. 电子元件与材料, 2022, 41(5): 531-538. DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1645 |
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| 作者姓名： | 缪文韬 王军 刘宇武 |
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| 作者单位： | 西南科技大学 信息工程学院, 四川 绵阳 621010 |
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| 基金项目： | 四川省教育厅资助科研项目 |
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| 摘 要： | 为了有效地表征GaN HEMTs在微波频段下的电学特性，研究了其高频等效电路的精确建模方法。基于GaN HEMTs器件的本征物理结构，综合考虑器件在制版过程中由电极和通孔所带来的寄生特性，描述了一种具有26个详细参数网络的小信号等效电路模型。此模型考虑了器件在工作环境下所受到的集肤效应，同时通过对小信号等效电路进行双端口网络参数分析，推导了其准静态近似的微波等效电路参数直接提取的简化算法，最终通过ADS仿真平台将所建模型和传统模型的S参数模拟结果与实测数据的一致性进行对比，验证了小信号等效电路模型的精确性与参数提取算法的有效性。
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| 关 键 词： | GaN HEMTs 物理结构 小信号模型 参数提取 集肤效应 |
Study on accurate modeling methods of GaN HEMTs small-signal equivalent circuits based on physical structures |
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| MIAO Wentao,WANG Jun,LIU Yuwu. Study on accurate modeling methods of GaN HEMTs small-signal equivalent circuits based on physical structures[J]. Electronic Components & Materials, 2022, 41(5): 531-538. DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1645 |
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| Authors: | MIAO Wentao WANG Jun LIU Yuwu |
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