| 基于扫描电子显微镜的半导体掺杂剂含量剖面分析研究进展 |
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| 引用本文： | 张凯,班春光,张子帆,黄丽. 基于扫描电子显微镜的半导体掺杂剂含量剖面分析研究进展[J]. 电子显微学报, 2022, 41(2): 205-218. DOI: 10.3969/j.issn.1000-6281.2022.02.015 |
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| 作者姓名： | 张凯 班春光 张子帆 黄丽 |
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| 作者单位： | 河北工业大学电子信息工程学院,天津300130,河北工业大学材料科学与工程学院,天津300130 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;河北省教育厅基金资助项目 |
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| 摘 要： | 掺杂剂浓度剖面分析是半导体器件研发、诊断和电学性能提升的关键.扫描电子显微镜因具有埃级空间分辨率、成像速度快、荷电效应弱和辐照损伤小等优点,在表征掺杂半导体方面独具优势.本文简要介绍了扫描电子显微镜在掺杂半导体表征方面的研究进展及挑战,包括SEM图像中掺杂衬度的产生机理、成像参数以及SE的能量和出射角度对掺杂衬度的影响...
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| 关 键 词： | 扫描电子显微镜 半导体 掺杂衬度 掺杂剖析 |
Review of dopant profiling based on scanning electron microscopy |
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| ZHANG Kai,BAN Chun-guang,ZHANG Zi-fan,HUANG Li. Review of dopant profiling based on scanning electron microscopy[J]. Journal of Chinese Electron Microscopy Society, 2022, 41(2): 205-218. DOI: 10.3969/j.issn.1000-6281.2022.02.015 |
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| Authors: | ZHANG Kai BAN Chun-guang ZHANG Zi-fan HUANG Li |
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