| 直流磁控溅射ZnO：Al薄膜过程中氧气浓度的研究 |
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| 引用本文： | 韦新颖,祁康成,袁红梅,张良燕.直流磁控溅射ZnO：Al薄膜过程中氧气浓度的研究[J].电子器件,2010,33(1):1-4. |
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| 作者姓名： | 韦新颖 祁康成 袁红梅 张良燕 |
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| 作者单位： | 电子科技大学光电信息学院,成都,610054 |
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| 基金项目： | 四川省应用基础研究项目资助(2009JY0054)“ZnO/a-Si异质结太阳能电池研究” |
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| 摘 要： | 采用直流磁控溅射的方法制备ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜,研究了氧气浓度对ZAO薄膜的结构、光电性质的影响。实验表明适当的氧气浓度是制备优质ZAO透明导电薄膜的关键。本实验条件下制备的ZAO薄膜最低电阻率为3.67×10-4Ω.cm,可见光部分透过率高于90%。
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| 关 键 词： | 直流磁控溅射 ZAO薄膜 电阻率 透过率 |
The Effect of Oxygen Concentration to DC Magnetron Sputtering ZnO:Al Films |
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| WEI Xinying,QI Kangcheng,YUAN Hongmei,ZHANG Liangyan.The Effect of Oxygen Concentration to DC Magnetron Sputtering ZnO:Al Films[J].Journal of Electron Devices,2010,33(1):1-4. |
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| Authors: | WEI Xinying QI Kangcheng YUAN Hongmei ZHANG Liangyan |
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| Affiliation: | School of Opto-electronic Information;University of Electronic Science and Technology of China;Chengdu 610054;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | DC magnetron sputtering ZAO film oxygen concentration resistivity transmittance |
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