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| 远紫外线光刻胶 | |
| 引用本文： | 周建竞.远紫外线光刻胶[J].现代化工,1986(4). |
| 作者姓名： | 周建竞 |
| 摘 要： | 亚微米级微细加工,是发展大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)的必然趋势。对于这一加工工艺,只能采用远紫外线、电子束和x射线等新型光刻工艺来实现。采用电子束和x射线曝光工艺,虽然能获得较高的分辨率(指感光材料、光学系统使细小图形清晰成象的能力,分辨率用1毫米内可以清晰辨别的最多直线数目来表示),但是,前者 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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