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| GaAs、InP阳极氧化薄膜的光电子能谱、俄歇电子能谱分析 | |
| 引用本文： | 周勉,王渭源.GaAs、InP阳极氧化薄膜的光电子能谱、俄歇电子能谱分析[J].半导体学报,1986,7(3):314-318. |
| 作者姓名： | 周勉 王渭源 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所，中国科学院上海冶金研究所 上海交通大学应用物理系 |
| 摘 要： | 使用一种新的不含水的阳极氧化液生长出厚度均匀、重复性好的～10~2A GaAs、InP阳极氧化膜.XPS和 AES分析表明:GaAs 氧化膜表面和膜内组分均匀,Ga_2O_3/As_2O_3=1; InP一氧化物界面过渡区较窄,未见到富p现象. |
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