GaAs、InP阳极氧化薄膜的光电子能谱、俄歇电子能谱分析 |
| |
作者姓名: | 周勉 王渭源 |
| |
作者单位: | 中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所 上海交通大学应用物理系 |
| |
摘 要: | 使用一种新的不含水的阳极氧化液生长出厚度均匀、重复性好的~10~2A GaAs、InP阳极氧化膜.XPS和 AES分析表明:GaAs 氧化膜表面和膜内组分均匀,Ga_2O_3/As_2O_3=1; InP一氧化物界面过渡区较窄,未见到富p现象.
|
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|