| SOI LDMOS晶体管的自加热效应 |
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| 引用本文： | 李家贵,李德昌. SOI LDMOS晶体管的自加热效应[J]. 电子科技, 2009, 22(4) |
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| 作者姓名： | 李家贵 李德昌 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学,技术物理学院,陕西,西安,710071;西安电子科技大学,理学院,陕西,西安,710071 |
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| 摘 要： | 与常规体硅器件相比,SOI器件由于其独特的结构,常常会产生较严重的自加热效应,影响器件的可靠性.文中阐述SOI LDMOS功率晶体管中的自加热现象,研究了自加热效应产生的机理,在不同的结构和工艺参数下自加热效应的研究进展,以及减弱自加热效应的方法.研究证明采用新材料,结构可对同加热效应起到有效抑制作用提高了件的可靠性.
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| 关 键 词： | SOI 白加热效应 自加热效应的抑制 图形化SOI |
Self-heating Effect of SOI LDMOS Power Transistors |
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| Li Jiagui,Li Dechang. Self-heating Effect of SOI LDMOS Power Transistors[J]. Electronic Science and Technology, 2009, 22(4) |
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| Authors: | Li Jiagui Li Dechang |
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| Affiliation: | 1.School of Technical Physics;Xidian University;Xi'an 710071;China;2.School of Science;China |
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| Abstract: | Compared with the devices built on bulk silicon,SOI power devices can produce serious self-heating effect because of their different structure.An overview of the self-heating phenomena in SOI LDMOS transistors is provided in this paper.The heat generation mechanisms and the research on self-heating at different structure and technological parameters are analyzed,and some methods for reducing the self-heating effect are presented. |
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| Keywords: | SOI |
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