|
|||||
|
|
| 毫米波半导体器件与其外延材料的发展 | |
| 引用本文： | 王向武,陆春一.毫米波半导体器件与其外延材料的发展[J].半导体杂志,1994,19(3):20-29. |
| 作者姓名： | 王向武 陆春一 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所 |
| 摘 要： | 本文回顾了近年来飞速发展的毫米波半导体器件（如ＨＥＭＴ、ＨＢＴ、Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ、ＩＭＰＡＴＴ等）及相应外延材料的研究进展． |
| 关 键 词： | 毫米波 异质结 HEMT HBT 崩越二极管 外延材料 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |