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毫米波半导体器件与其外延材料的发展
作者姓名:王向武 陆春一
作者单位:南京电子器件研究所
摘    要:本文回顾了近年来飞速发展的毫米波半导体器件(如HEMT、HBT、Si/SiGeHBT、IMPATT等)及相应外延材料的研究进展.

关 键 词:毫米波 异质结 HEMT HBT 崩越二极管 外延材料
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