| 高性能InP基谐振腔增强型长波长光探测器 |
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| 引用本文： | 黄永清,黄辉,王琦,王兴妍,周震,任晓敏.高性能InP基谐振腔增强型长波长光探测器[J].半导体光电,2003,24(4):230-232，237. |
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| 作者姓名： | 黄永清 黄辉 王琦 王兴妍 周震 任晓敏 |
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| 作者单位： | 北京邮电大学,光通信中心,北京,100876 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划);2001AA312290; |
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| 摘 要： | 介绍了目前实现高性能InP基谐振腔型(RCE)长波长光探测器的几种方案。采用InP 空气隙DBR结构、正入射光、响应波长为1550nm的高灵敏度、高速InP基长波长RCE光探测器,在1510nm波长处获得了59%的量子效率,在器件台面面积仍很大的情况下(50μm×50μm),获得了8GHz的3dB响应带宽。
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| 关 键 词： | 谐振腔增强型 光探测器 空气隙 选择性湿法刻蚀 |
| 文章编号： | 1001-5868(2003)04-0230-03 |
| 修稿时间： | 2003年4月23日 |
High Performance InP-based Long Wavelength Resonant Cavity Enhanced Photodetectors |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | resonant cavity enhanced (RCE) photodetector air gap selective wet etching |
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