| 基于石英基底的PZT薄膜制备研究 |
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| 引用本文： | 崔岩,孔祥新,于舜尧,李嘉豪.基于石英基底的PZT薄膜制备研究[J].机电工程技术,2019,48(12). |
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| 作者姓名： | 崔岩 孔祥新 于舜尧 李嘉豪 |
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| 作者单位： | 大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室,辽宁大连 116024;大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室,辽宁大连 116024;大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室,辽宁大连 116024;大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室,辽宁大连 116024 |
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| 摘 要： | 研究了在石英基底上制备PZT薄膜,通过在石英基底上制备氮化硅沉积层来改善PZT薄膜质量。运用PECVD技术在石英基底上制备氮化硅沉积层,使用溶胶-凝胶法在沉积层上制备锆钛酸铅(PZT)薄膜,并对PZT薄膜的性能进行了表征。氮化硅沉积层的厚度选为500 nm,PZT薄膜的制备厚度选为1μm,对PZT薄膜的晶向、漏电流、介电性能和铁电性能进行了表征,结果表明在拥有氮化硅沉积层的石英基底上能够制备出性能优良的PZT薄膜。
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| 关 键 词： | PECVD 氮化硅 石英基底 PZT薄膜 |
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